АСЕЕВ Александр Леонидович
Вице-президент РАН, председатель Сибирского отделения РАН, директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАНРодился 24.09.46 в г. Улан-Удэ.
В 1968 г. закончил Новосибирский государственный университет.
В 1975 г. защитил кандидатскую диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоёв кремния и германия на различных подложках»,
В 1990 г. защитил докторскую диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов».
В 2000 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации РАН (специальность «элементная база микроэлектроники»),
В 2006 г. избран действительным членом РАН по Отделению физических наук РАН (специальность "физика").
Основное направление научной деятельности А.Л. Асеева связано с изучением атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитием технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники.
А.Л. Асеев – член Научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии, заместитель председателя Научного совета «Фундаментальные проблемы создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем» РАН, председатель докторского диссертационного совета, член редколлегий журналов РАН «Физика и техника полупроводников» и «Автометрия», «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники», «Crystal Research and Technology», «Нано- и микросистемная техника», «Российские нанотехнологии», «Нанотехнологии Экология Производство», «Проблемы информатики», электронного журнала «Surface Science and Nanotechnology», член Совета при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию, член научно-технических советов ряда ведомств, в том числе ГК «Роснано».
А.Л. Асеев – профессор филиала кафедры физики полупроводников Томского государственного университета, почётный член ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, почётный доктор Томского госуниверситета, почетный профессор Бурятского государственного университета. Под его руководством защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации.
А.Л. Асеев – автор и соавтор более 220 научных работ, из них 5 монографий и 9 патентов, награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени, высшим орденом Монголии «Полярная звезда», грамотами и благодарностями Государственной Думы РФ, Федерального агентства по атомной энергии, знаком «Гражданская доблесть» Республики Саха (Якутия), орденом «Ключ дружбы», высшей наградой Кемеровской области.
